什么是快恢复二极管

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星海电子取得快恢复二极管芯片及其制作方法专利,降低正向工作电压金融界2024年5月6日消息,据国家知识产权局公告,常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种快恢复二极管芯片及其制作方法“,授权公告号CN113054037B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示,本发明涉及芯片制造领域,具体公开了一种快恢复二极管芯片,包括芯片本体,所述芯片...

∩△∩ 上海积塔半导体申请接触孔相关专利,减小了快恢复二极管内的反向电流金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“接触孔的形成方法、快恢复二极管及其形成方法”的专利,公开号 CN 119050049 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明涉及一种接触孔的形成方法、快恢复二极管及其形成方法。所...

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捷捷微电连续3个交易日缩量,缩量区间跌幅0.48%集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻、整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件及组件、碳化硅器件。本报告期内,公司取得发明专利39项,实用新型专利32项。资金流方面,捷捷微电当日主力资金净流入1438.95万元。

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通科电子申请一种二极管电学特性测试方法专利,提升二极管电学特性...东莞市通科电子有限公司申请一项名为“一种二极管电学特性测试方法”的专利,公开号 CN 118707286 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明涉及电数据处理技术领域,具体涉及一种二极管电学特性测试方法,包括:获取在不同变量下快恢复二极管多次测试下的若干种测试采...

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立昂微连续3个交易日缩量,缩量区间跌幅2.76%6英寸FRD(快恢复二极管)芯片、6英寸MOSFET(金属氧化层半导体场效晶体管)芯片、6英寸TVS(瞬态抑制二极管)芯片及6英寸IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片;6英寸砷化镓微波射频芯片、6英寸VCSEL(垂直共振腔表面发射激光器)芯片等三大类。资金流方面,立昂微当日主力资金净流出...

立昂微连续3个交易日缩量,缩量区间跌幅4.14%6英寸FRD(快恢复二极管)芯片、6英寸MOSFET(金属氧化层半导体场效晶体管)芯片、6英寸TVS(瞬态抑制二极管)芯片及6英寸IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片;6英寸砷化镓微波射频芯片、6英寸VCSEL(垂直共振腔表面发射激光器)芯片等三大类。资金流方面,立昂微当日主力资金净流出...

【投融资动态】国宇电子B轮融资,投资方为电科投资、双百基金等变压器等用VDMOS场效应功率晶体管、肖特基二极管、快恢复二极管等产品。产品广泛应用于各类家电、绿色照明、计算机、汽车电子、网络通讯、工业控制等多种领域。数据来源:天眼查APP以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成(网信算备310104345710301240019...